• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W

S2M0016120K-SMC
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
335,76 lei
277,49 lei Fara TVA
Cantitate
Ultimele produse in stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 140A Idm: 314A 714W de la SMC DIODE SOLUTIONS este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Cu o putere disipată de 714W, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi performanțe excelente în diverse medii de lucru. Carcasa TO247-4 asigură o montare ușoară și sigură, în timp ce subtipul de ambalaj în tub asigură protecție suplimentară împotriva factorilor externi.

Cu caracteristici precum terminalul Kelvin și rezistența de funcționare de 16mΩ, acest tranzistor garantează o funcționare eficientă și fiabilă pe termen lung. Fiind un N-MOSFET, acesta are un subtip de canal îmbogățit, iar polarizarea unipolară îl face potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu un curent de drenaj de 140A și un curent de drenaj în impuls de 314A, acest tranzistor poate gestiona sarcini mari cu ușurință. Tensiunea drenaj-sursă de 1,2kV și tensiunea poartă-sursă de -5...20V asigură o funcționare stabilă și sigură în diferite condiții de lucru. Încărcătura de poartă de 224nC și tehnologia SiC completează specificațiile avansate ale acestui tranzistor, făcându-l alegerea perfectă pentru proiectele electronice de înaltă performanță.
Detalii
S2M0016120K-SMC

Fisa tehnica

Producător
SMC DIODE SOLUTIONS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
714W
Montare
THT
Carcasă
TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
314A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
140A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
-5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
16mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
224nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod EAN13
5945354118924
Cod MPN
S2M0016120K
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: