Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 29A 231W

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 29A Idm: 82A 231W de la SMC DIODE SOLUTIONS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor impresionează prin caracteristicile sale tehnice remarcabile, cum ar fi carcasa TO247-3 care asigură o montare ușoară în tehnologia THT. Cu o putere disipată de 231W și un curent de drenă în impuls de 82A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită performanțe ridicate. Polarizarea unipolară și subtipul de canal îmbogățit îl fac ideal pentru diverse aplicații industriale. De asemenea, rezistența sa în timpul funcționării de 137mΩ și tensiunea drenă-sursă de 1,2kV îl fac extrem de fiabil și durabil. Cu o încărcătură poartă de 54nC și o tensiune poartă-sursă cuprinsă între -10...25V, acest tranzistor N-MOSFET SiC este soluția perfectă pentru proiectele electronice avansate. Optați pentru tehnologia de vârf SiC și beneficiați de performanțe superioare și fiabilitate de neegalat!