• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

P-MOSFET TrenchP™ -100V 76A 298W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • P-MOSFET TrenchP™ -100V 76A 298W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

P-MOSFET TrenchP™ -100V 76A 298W TO263

IXTA76P10T
IXYS
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
63,33 lei
52,34 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -76A 298W TO263 de la IXYS este o soluție de încredere pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor vine într-un subtip de ambalaj tub, ușor de montat SMD, cu o carcasă TO263 durabilă. Cu o putere disipată impresionantă de 298W, acest tranzistor este ideal pentru sarcini de putere medie și mari. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și eficientă.

Cu o capacitate de curent drenă de -76A și o tensiune drenă-sursă de -100V, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile. Tensiunea poartă-sursă de ±15V permite un control precis al dispozitivului. Rezistența în timpul funcționării de 25mΩ garantează o disipare eficientă a căldurii și o durată lungă de viață a tranzistorului.

Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 197nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de performanță. Tipul P-MOSFET asigură o comutare rapidă și eficientă, iar timpul de restabilire de 70ns optimizează reacția dispozitivului.

Cu tehnologia TrenchP™ de ultimă generație, acest tranzistor oferă o combinație perfectă de performanță și fiabilitate. Indiferent de aplicația dumneavoastră, Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -76A 298W TO263 de la IXYS este alegerea ideală pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii
IXTA76P10T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
298W
Montare
SMD
Carcasă
TO263
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-76A
Tensiune drenă-sursă
-100V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
25mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
197nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
70ns
Tehnologie
TrenchP™

Coduri specifice

cod UPC
594238763535
cod EAN13
5945049966854
Cod MPN
IXTA76P10T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor P-MOSFET Unipolar 250V 0,225A 1,5W SC73 SOT223 - Componentă Electronică Profesionistă | Electronic-mag.ro | Component

Cod: BSP225.115

Marca: NEXPERIA

Tranzistor P-MOSFET Unipolar 250V 0,225A 1,5W SC73 SOT223 - Componentă Electronică Profesionistă

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0,225A; 1,5W; SC73,SOT223
7,39 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET Unipolar 250V 0,225A 1,5W SC73 SOT223 - Componentă Electronică Profesionistă
In stoc