• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET Unipolar -60V 80A 340W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET Unipolar -60V 80A 340W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET Unipolar -60V 80A 340W

SPB80P06PGATMA1
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO263-3
36,68 lei
30,31 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -60V -80A 340W PG-TO263-3 oferit de INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată impresionantă de 340W și o rezistență în timpul funcționării de doar 23mΩ, ceea ce îl face ideal pentru aplicații care necesită o performanță excelentă.

Montarea acestui tranzistor se face prin tehnologia SMD, iar carcasa sa este de tipul PG-TO263-3, asigurând o disipare eficientă a căldurii. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face potrivit pentru aplicații specifice, iar curentul drenă de -80A și tensiunea drenă-sursă de -60V îl fac extrem de fiabil și puternic.

Tensiunea poartă-sursă de ±20V și subtipul de canal îmbogățit contribuie la performanța superioară a acestui tranzistor. Fiind un tranzistor P-MOSFET, acesta beneficiază de tehnologia SIPMOS™, care îi conferă o funcționare precisă și fiabilă.

În concluzie, tranzistorul P-MOSFET unipolar -60V -80A 340W PG-TO263-3 oferit de INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită o putere mare, o eficiență ridicată și o fiabilitate de neegalat. Optați pentru acest produs de încredere și veți beneficia de performanțe excepționale în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii
SPB80P06PGATMA1

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată
340W
Montare
SMD
Carcasă
PG-TO263-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-80A
Tensiune drenă-sursă
-60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
23mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
SIPMOS™

Coduri specifice

cod UPC
594446137814
cod EAN13
5943090479477
Cod MPN
SPB80P06PGATMA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: