Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
  • Stoc epuizat
Tranzistor P-MOSFET TrenchP -100V -26A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP -100V -26A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET TrenchP -100V -26A 150W

IXTY26P10T
IXYS
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
39,24 lei
32,43 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -26A 150W TO252 de la IXYS este un produs de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface nevoile exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici de top, precum carcasa TO252 pentru o montare ușoară și sigură, puterea disipată de 150W pentru o funcționare eficientă, și polarizarea unipolară pentru o stabilitate sporită.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 90mΩ, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în aplicații cu curent drenă de până la -26A și tensiune drenă-sursă de -100V. De asemenea, dispune de o tensiune poartă-sursă de ±15V, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații.

Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 52nC asigură o funcționare stabilă și eficientă a tranzistorului. Cu un timp de restabilire rapid de doar 70ns și tehnologia inovatoare TrenchP™, acest tranzistor este alegerea ideală pentru proiectele electronice care necesită performanțe de top.

În concluzie, Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -26A 150W TO252 de la IXYS este soluția perfectă pentru aplicațiile electronice care necesită fiabilitate, performanță și eficiență. Alegeți calitatea și performanța oferite de acest tranzistor de încredere!
Detalii
IXTY26P10T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
150W
Montare
SMD
Carcasă
TO252
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-26A
Tensiune drenă-sursă
-100V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
90mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
52nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
70ns
Tehnologie
TrenchP™

Coduri specifice

cod EAN13
5948580804425
Cod MPN
IXTY26P10T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor P-MOSFET Unipolar 30V 1,5A 0,625W SOT26 - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componen

Cod: ZXM62P03E6TA

Marca: DIODES INCORPORATED

Tranzistor P-MOSFET Unipolar 30V 1,5A 0,625W SOT26 - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1,5A; 0,625W; SOT26
6,91 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET Unipolar 30V 1,5A 0,625W SOT26 - Componente Electronice de Înaltă Performanță
In stoc