Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor P-MOSFET -100V -18A 83W TO252 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -100V -18A 83W TO252 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -100V -18A 83W TO252

IXTY18P10T
IXYS
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252
38,76 lei
32,03 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -18A 83W TO252 este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 83W și o polarizare unipolară, oferind o soluție fiabilă și eficientă pentru diverse cerințe de alimentare.

Cu un curent de drenaj de -18A și o tensiune drenaj-sursă de -100V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere și performanță. Rezistența în timpul funcționării de 0,12Ω și încărcătura de poartă de 39nC asigură o funcționare stabilă și eficientă în diverse condiții de lucru.

Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ este echipat cu tehnologia de ultimă generație, oferind un timp de restabilire rapid de 62ns. Carcasa TO252 și montarea SMD fac acest tranzistor ușor de integrat în diverse aplicații, asigurând o performanță optimă și fiabilitate pe termen lung.

Indiferent de cerințele dvs. specifice, tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. electronice, oferind performanțe excelente și fiabilitate de neegalat. Alegeți calitatea și performanța superioară cu acest tranzistor de înaltă calitate de la IXYS.
Detalii
IXTY18P10T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
83W
Montare
SMD
Carcasă
TO252
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-18A
Tensiune drenă-sursă
-100V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,12Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
39nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
62ns
Tehnologie
TrenchP™

Coduri specifice

cod UPC
594218652316
cod EAN13
5941833281660
Cod MPN
IXTY18P10T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - 12V, 5.3A Idm: -20A - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro

Cod: SI2333DS-T1-E3

Marca: VISHAY

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - 12V, 5.3A Idm: -20A - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5,3A; Idm: -20A
0,00 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - 12V, 5.3A Idm: -20A - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
Stoc epuizat
Stoc epuizat Tranzistor P-MOSFET Unipolar -30V, 4.6A, 2.5W, SO8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componen

Cod: SI9435BDY-E3

Marca: VISHAY

Tranzistor P-MOSFET Unipolar -30V, 4.6A, 2.5W, SO8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4,6A; 2,5W; SO8
0,00 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET Unipolar -30V, 4.6A, 2.5W, SO8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
Stoc epuizat