• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET -60V -8.6A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -60V -8.6A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -60V -8.6A

SI7461DP-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8,6A; Idm: -60A; 1,2W
26,54 lei
21,93 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul VISHAY P-MOSFET unipolar -60V -8,6A Idm: -60A 1,2W este un component electronic de înaltă performanță, ce se distinge prin caracteristicile sale tehnice remarcabile. Acesta se remarcă prin subtipul de ambalaj în formă de rolă sau bandă, fiind ideal pentru montajul pe suprafață (SMD). Carcasa sa PowerPAK® SO8 asigură o disipare eficientă a puterii de 1,2W, iar curentul de drenaj în impuls de -60A îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță.

Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face ușor de integrat în diverse circuite electronice, iar curentul de drenaj de -8,6A și tensiunea drenaj-sursă de -60V îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Tensiunea poartă-sursă de ±20V îl face versatil în diverse aplicații, iar rezistența sa redusă în timpul funcționării de 14,5mΩ îl face eficient din punct de vedere energetic.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 0,19µC, acest tranzistor P-MOSFET este proiectat pentru a oferi performanțe superioare în aplicații cu cerințe ridicate. Fiind un tranzistor de tip P-MOSFET, acesta este potrivit pentru aplicații care necesită comutație rapidă și eficientă a semnalului. Cu Tranzistorul VISHAY P-MOSFET, puteți conta pe o calitate superioară și o performanță fiabilă în orice aplicație electronică.
Detalii
SI7461DP-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
1,2W
Montare
SMD
Carcasă
PowerPAK® SO8
Curent de drenă în impuls
-60A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-8,6A
Tensiune drenă-sursă
-60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
14,5mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
0,19µC
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5946734721369
Cod MPN
SI7461DP-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: