Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
P-MOSFET Unipolar -30V -29A 5W SO8 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • P-MOSFET Unipolar -30V -29A 5W SO8 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

P-MOSFET Unipolar -30V -29A 5W SO8 Tranzistor

SI4497DY-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
20,69 lei
17,10 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -30V -29A 5W SO8 de la VISHAY este o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită o performanță excepțională. Acest tranzistor este disponibil într-un ambalaj sub formă de rolă sau bandă, fiind ideal pentru montare SMD. Cu o putere disipată de 5W, acesta este polarizat unipolar și poate suporta un curent de drenă de până la -29A. Tensiunea drenă-sursă este de -30V, iar tensiunea poartă-sursă este de ±20V.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 3,3mΩ, acest tranzistor P-MOSFET are un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 90nC. Fiind un dispozitiv de tip P-MOSFET, acesta este potrivit pentru o varietate de aplicații în care este necesară comutarea eficientă a curentului. Cu performanțe remarcabile și fiabilitate de încredere, tranzistorul P-MOSFET unipolar -30V -29A 5W SO8 de la VISHAY este alegerea perfectă pentru proiectele tale electronice.
Detalii
SI4497DY-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
5W
Montare
SMD
Carcasă
SO8
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-29A
Tensiune drenă-sursă
-30V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
3,3mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
90nC
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5941618022907
Cod MPN
SI4497DY-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: