Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor P-MOSFET 100V 25A 50W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET 100V 25A 50W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET 100V 25A 50W TO263

RSJ250P10FRATL
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
18,68 lei
15,44 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -100V -25A Idm: -50A 50W TO263 de la ROHM SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații în domeniul auto. Acest tranzistor vine într-un ambalaj sub formă de rolă sau bandă, ușor de montat SMD. Cu o putere disipată de 50W, acesta oferă o rezistență în timpul funcționării de doar 63mΩ, asigurând o performanță excelentă.

Caracteristicile elementelor semiconductoare includ o poartă protejată ESD, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile. Cu un curent de drenaj în impuls de -50A și un curent de drenaj de -25A, acest tranzistor poate gestiona sarcini exigente. Tensiunea drenaj-sursă de -100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V oferă o gamă largă de utilizare.

Cu o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor este versatil și eficient. Încărcătura poartă de 60nC și tipul P-MOSFET completează caracteristicile sale impresionante. Alegeți Tranzistorul P-MOSFET de la ROHM SEMICONDUCTOR pentru performanță și fiabilitate de încredere.
Detalii
ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ250P10FRATL

Fisa tehnica

Producător
ROHM SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
50W
Utilizare
domeniul auto
Montare
SMD
Carcasă
TO263
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Curent de drenă în impuls
-50A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-25A
Tensiune drenă-sursă
-100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
63mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
60nC
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5946664109954
Cod MPN
RSJ250P10FRATL
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - 12V, 5.3A Idm: -20A - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro

Cod: SI2333DS-T1-E3

Marca: VISHAY

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - 12V, 5.3A Idm: -20A - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5,3A; Idm: -20A
0,00 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - 12V, 5.3A Idm: -20A - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
Stoc epuizat