• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

P-MOSFET Unipolar -40V 35A 33W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • P-MOSFET Unipolar -40V 35A 33W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

P-MOSFET Unipolar -40V 35A 33W Tranzistor

SIS443DN-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -80A; 33W
15,60 lei
12,89 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul VISHAY P-MOSFET unipolar -40V -35A Idm: -80A 33W este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Cu o putere disipată de 33W și un curent de drenă în impuls de până la -80A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o performanță fiabilă și eficientă.

Carcasa PowerPAK® 1212-8 asigură o montare simplă și sigură de tip SMD, ceea ce face ca acest tranzistor să fie ușor de integrat în diverse proiecte. Polarizarea unipolară, curentul de drenă de -35A și tensiunea drenă-sursă de -40V fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de performanță.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 11,7mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă în condiții de funcționare variate. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 135nC completează caracteristicile impresionante ale acestui tranzistor de înaltă performanță.

Tranzistorul VISHAY P-MOSFET unipolar -40V -35A Idm: -80A 33W este soluția perfectă pentru aplicațiile care necesită un tranzistor puternic, fiabil și eficient. Alegeți performanța și calitatea superioară oferite de acest tranzistor pentru succesul proiectelor dumneavoastră electronice.
Detalii
SIS443DN-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
33W
Montare
SMD
Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Curent de drenă în impuls
-80A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-35A
Tensiune drenă-sursă
-40V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
11,7mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
135nC
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594151123102
cod EAN13
5940870869787
Cod MPN
SIS443DN-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: