Tranzistor P-MOSFET -20V 11,1A 3W SO8

Tranzistorul P-MOSFET unipolar -20V -11,1A 3W SO8 de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, cu o serie de caracteristici impresionante. Acesta este montat în format SMD și vine în carcasă SO8, ceea ce îl face ușor de integrat în diverse aplicații. Cu o putere disipată de 3W, acest tranzistor este proiectat pentru a funcționa eficient și fiabil.

Polarizarea unipolară a acestui tranzistor permite o funcționare stabilă și precisă, iar curentul de drenare de -11,1A și tensiunea de drenare-sursă de -20V îl fac potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Tensiunea poartă-sursă de ±12V asigură o funcționare sigură și precisă, în timp ce rezistența în timpul funcționării de 20mΩ optimizează performanța tranzistorului.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 56nC, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în aplicații sensibile la viteză și eficiență. Fiind un P-MOSFET, acesta este potrivit pentru aplicații care necesită un control precis al semnalului și o eficiență energetică ridicată. În concluzie, tranzistorul P-MOSFET unipolar -20V -11,1A 3W SO8 de la VISHAY este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de electronică.