• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET 100V 8.2A 88W TO-263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET 100V 8.2A 88W TO-263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET 100V 8.2A 88W TO-263

IRF9530SPBF
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8,2A; 88W; D2PAK,TO263
18,57 lei
15,35 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -100V -8,2A 88W D2PAK, TO263 de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor oferă o putere disipată de 88W, cu o polarizare unipolară și un curent de drenă de -8,2A. Tensiunea drenă-sursă este de -100V, iar tensiunea poartă-sursă este de ±20V, asigurând performanțe excelente în diverse condiții de funcționare.

Carcasa D2PAK și TO263 asigură o montare ușoară și sigură, în timp ce rezistența în timpul funcționării de 0,3Ω și subtipul canal îmbogățit garantează o funcționare eficientă și fiabilă. Încărcătura poartă de 38nC și tipul tranzistorului P-MOSFET completează caracteristicile de top ale acestui produs inovator.

Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul P-MOSFET de la VISHAY este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. electronice, oferind performanțe remarcabile și fiabilitate pe termen lung. Optați pentru calitate și eficiență cu acest tranzistor de înaltă calitate!
Detalii
IRF9530SPBF

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
88W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
TO263
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-8,2A
Tensiune drenă-sursă
-100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,3Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
38nC
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5944596959487
Cod MPN
IRF9530SPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: