Tranzistor P-MOSFET -40V 8.2A SO8

Tranzistorul ONSEMI P-MOSFET unipolar este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații exigente în domeniul electronicelor. Acest tranzistor este echipat cu o carcasă SO8, oferind o montare simplă pe plăci de circuit imprimate SMD. Cu o putere disipată de 2,5W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a căldurii.

Caracteristica de polarizare unipolară face ca acest tranzistor să fie ușor de integrat în circuitele existente, oferind o performanță fiabilă și constantă. Cu un curent de drenaj de -8,2A și o tensiune de drenaj-sursă de -40V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 42mΩ, acest tranzistor asigură o conductivitate optimă a semnalului. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura de poartă de 27nC contribuie la performanța superioară a acestui tranzistor.

Tranzistorul ONSEMI P-MOSFET utilizează tehnologia PowerTrench®, ceea ce îl face o alegere ideală pentru aplicații care necesită o eficiență energetică ridicată și o durabilitate îndelungată. Cu tensiunea poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă flexibilitate în proiectarea circuitelor electronice.