Tranzistor P-MOSFET -30V -5,7A SO8

Tranzistorul P-MOSFET unipolar -30V -5,7A Idm: -30A 0,9W SO8, fabricat de VISHAY, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații sensibile. Acesta este disponibil într-un subtip de ambalaj în formă de rolă sau bandă, perfect pentru montarea pe suprafețe SMD. Carcasa SO8 oferă o protecție solidă și o dissipare eficientă a puterii de 0,9W.

Cu o polarizare unipolară și un curent de drenă de -5,7A, acest tranzistor poate gestiona tensiuni de până la -30V între drenă și sursă și ±20V între poartă și sursă. Rezistența în timpul funcționării de 30mΩ asigură o performanță stabilă și fiabilă în diverse condiții de funcționare.

Subtipul de canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 20nC fac din acest tranzistor P-MOSFET un element esențial pentru proiectele electronice complexe. Cu o calitate superioară și specificații precise, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită un control precis al curentului și tensiunii.