Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
P-MOSFET Tranzistor unipolar -40V -160mA 360mW | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • P-MOSFET Tranzistor unipolar -40V -160mA 360mW | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

P-MOSFET Tranzistor unipolar -40V -160mA 360mW

TP2104K1-G
Microchip
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -160mA; Idm: -0,8A; 360mW
9,75 lei
8,06 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar de la MICROCHIP TECHNOLOGY este un component electronic de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile dvs. de electronice. Acest tranzistor are o putere disipată de 0,36W, o polarizare unipolară și poate suporta o tensiune drenă-sursă de până la -40V. Cu o montare SMD și o carcasă SOT23-3, acest tranzistor este ușor de integrat în designul dvs. electronic. Curentul de drenă în impuls este de -0,8A, iar curentul de drenă continuu este de -0,16A. Tensiunea poartă-sursă este de ±20V, iar rezistența în timpul funcționării este de 6Ω. Acest tranzistor P-MOSFET are un subtip de canal îmbogățit și este potrivit pentru o varietate de aplicații. Alegeți Tranzistorul P-MOSFET de la MICROCHIP TECHNOLOGY pentru performanțe fiabile și de înaltă calitate în proiectele dvs. electronice.
Detalii
TP2104K1-G

Fisa tehnica

Producător
MICROCHIP TECHNOLOGY
Putere disipată
0,36W
Montare
SMD
Carcasă
SOT23-3
Curent de drenă în impuls
-0,8A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-0,16A
Tensiune drenă-sursă
-40V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
6Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594097642828
cod EAN13
5940128673913
Cod MPN
TP2104K1-G
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: