Tranzistorul P-MOSFET unipolar -30V -3,6A 2W SO8 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor este fabricat de către INFINEON TECHNOLOGIES, un producător de top din industria electronică. Cu un subtip ambalaj în formă de rolă și montare SMD, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse proiecte.
Carcasa SO8 oferă o protecție excelentă împotriva factorilor externi, asigurând o durabilitate și fiabilitate sporită a dispozitivului. Cu o putere disipată de 2W, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de lucru intense, fără a compromite performanța.
Polarizarea unipolară a tranzistorului asigură un control precis al curentului de drenare, în timp ce tensiunea drenă-sursă de -30V îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe de tensiune mai mici. Subtipul canalului îmbogățit și tehnologia HEXFET® garantează o funcționare optimă și eficientă a tranzistorului în diverse scenarii de utilizare.
Cu acest tranzistor P-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES, veți beneficia de performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung pentru proiectele dvs. electronice. Alegeți calitatea și inovația cu acest produs de încredere!
Detalii
IRF7306TRPBF
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
rolă
Putere disipată
2W
Montare
SMD
Carcasă
SO8
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-3,6A
Tensiune drenă-sursă
-30V
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®
Coduri specifice
cod UPC
594772873066
cod EAN13
5942590687597
Cod MPN
IRF7306TRPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.