• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: P-MOSFET unipolar -30V -13,9A Idm: -60A 33W

SI7617DN-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13,9A; Idm: -60A; 33W
8,63 lei
7,13 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13,9A; Idm: -60A; 33W
Detalii
SI7617DN-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
33W
Montare
SMD
Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Curent de drenă în impuls
-60A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-13,9A
Tensiune drenă-sursă
-30V
Tensiune poartă-sursă
±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării
12,3mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
59nC
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5948569530567
Cod MPN
SI7617DN-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: