• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar 40V 2,4A Idm - 12A pentru Aplicații de Putere | Electronic-mag.ro | Componente Electroni
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar 40V 2,4A Idm - 12A pentru Aplicații de Putere | Electronic-mag.ro | Componente Electroni

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar 40V 2,4A Idm - 12A pentru Aplicații de Putere

SI2319DS-T1-E3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2,4A; Idm: -12A
10,25 lei
8,47 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2,4A; Idm: -12A
Detalii
SI2319DS-T1-E3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
0,8W
Montare
SMD
Carcasă
SOT23
Curent de drenă în impuls
-12A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-2,4A
Tensiune drenă-sursă
-40V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,13Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
17nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod UPC
594860524924
cod EAN13
5949170626786
Cod MPN
SI2319DS-T1-E3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: