• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Max 40V, Curent Max 3A, Puls 12A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Max 40V, Curent Max 3A, Puls 12A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Max 40V, Curent Max 3A, Puls 12A

SI2319DS-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
7,19 lei
5,94 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Detalii
SI2319DS-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
1,25W
Montare
SMD
Carcasă
SOT23
Curent de drenă în impuls
-12A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-3A
Tensiune drenă-sursă
-40V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,13Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
17nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5941036527619
Cod MPN
SI2319DS-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: