• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V, 50A Idm, 200A - Componentă electronică de putere | Electronic-mag.ro | Componente
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V, 50A Idm, 200A - Componentă electronică de putere | Electronic-mag.ro | Componente

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V, 50A Idm, 200A - Componentă electronică de putere

SISS27DN-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A
7,73 lei
6,39 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A
Detalii
SISS27DN-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
36W
Montare
SMD
Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Curent de drenă în impuls
-200A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-50A
Tensiune drenă-sursă
-30V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
9mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
0,14µC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod UPC
594711116346
cod EAN13
5946583080235
Cod MPN
SISS27DN-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: