• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima -60V, Curent Maximal 2,9A, Puls 8A | Electronic-mag.ro | Componente El
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima -60V, Curent Maximal 2,9A, Puls 8A | Electronic-mag.ro | Componente El

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima -60V, Curent Maximal 2,9A, Puls 8A

SI3459BDV-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2,9A; Idm: -8A
5,53 lei
4,57 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2,9A; Idm: -8A
Detalii
SI3459BDV-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
3,3W
Montare
SMD
Carcasă
TSOP6
Curent de drenă în impuls
-8A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-2,9A
Tensiune drenă-sursă
-60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
288mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
12nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5940223180781
Cod MPN
SI3459BDV-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: