• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar 40V 7,2A Idm 20A - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Co
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar 40V 7,2A Idm 20A - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Co

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar 40V 7,2A Idm 20A - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

SI4447ADY-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7,2A; Idm: -20A
7,26 lei
6,00 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7,2A; Idm: -20A
Detalii
SI4447ADY-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
4,2W
Montare
SMD
Carcasă
SO8
Curent de drenă în impuls
-20A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-7,2A
Tensiune drenă-sursă
-40V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
62mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
38nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5940589526285
Cod MPN
SI4447ADY-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: