• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V -8A Idm -50A pentru aplicații electronice | Electronic-mag.ro | Componente Electron
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V -8A Idm -50A pentru aplicații electronice | Electronic-mag.ro | Componente Electron

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V -8A Idm -50A pentru aplicații electronice

SI3421DV-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
6,52 lei
5,39 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Detalii
SI3421DV-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
2,7W
Montare
SMD
Carcasă
TSOP6
Curent de drenă în impuls
-50A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-8A
Tensiune drenă-sursă
-30V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
19,2mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
69nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5946780069835
Cod MPN
SI3421DV-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: