• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET TrenchP -200V 68A 568W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP -200V 68A 568W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP -200V 68A 568W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET TrenchP -200V 68A 568W

IXTT68P20T
IXYS
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268
153,79 lei
127,10 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -200V -68A 568W TO268, IXTT68P20T este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor SMD se remarcă prin carcasă TO268, perfectă pentru montajul pe placă, și tehnologia inovatoare TrenchP™ care îmbunătățește semnificativ eficiența și fiabilitatea dispozitivului.

Cu o putere disipată impresionantă de 568W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și sigură, în timp ce curentul drenă de -68A și tensiunea drenă-sursă de -200V permit utilizarea într-o varietate de scenarii.

Tensiunea poartă-sursă de ±15V și rezistența în timpul funcționării de 55mΩ contribuie la performanțele excelente ale acestui tranzistor. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 380nC completează caracteristicile sale impresionante.

Cu un timp de restabilire rapid de 245ns, acest tranzistor IXYS este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice care necesită o funcționare fiabilă și eficientă. Optați pentru calitate și performanță superioară cu Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ TO268, IXTT68P20T!
Detalii
IXTT68P20T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
568W
Montare
SMD
Carcasă
TO268
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-68A
Tensiune drenă-sursă
-200V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
55mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
380nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
245ns
Tehnologie
TrenchP™

Coduri specifice

cod UPC
594774586209
cod EAN13
5948437814096
Cod MPN
IXTT68P20T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: