Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -200V -68A 568W 245ns, IXTH68P20T este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile tale electronice. Fabricat de către IXYS, acest tranzistor se remarcă prin montare THT și carcasă TO247-3, oferind o fiabilitate sporită în utilizare. Tehnologia TrenchP™ asigură o disipare eficientă a puterii de 568W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de putere medie și mare.
Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj de până la -68A și o tensiune drenaj-sursă de -200V. Tensiunea poartă-sursă de ±15V permite o comutare rapidă și precisă a dispozitivului. Rezistența în timpul funcționării de 55mΩ și subtipul canal îmbogățit îl fac ideal pentru aplicații de control și reglare a puterii.
Cu o încărcătură de poartă de 380nC, acest tranzistor P-MOSFET oferă performanțe superioare în aplicații cu cerințe ridicate de comutare. Timpul de restabilire rapid de 245ns îl face potrivit pentru aplicații sensibile la timp. Descoperă acum beneficiile tranzistorului IXYS P-MOSFET TrenchP™ pentru proiectele tale electronice!
Detalii
IXTH68P20T
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
568W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-68A
Tensiune drenă-sursă
-200V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
55mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
380nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
245ns
Tehnologie
TrenchP™
Coduri specifice
cod UPC
594560162709
cod EAN13
5946043275867
Cod MPN
IXTH68P20T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.