• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -200V 68A 568W IXTH68P20T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -200V 68A 568W IXTH68P20T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -200V 68A 568W IXTH68P20T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -200V 68A 568W IXTH68P20T

IXTH68P20T
IXYS
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; 245ns
116,69 lei
96,44 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -200V -68A 568W 245ns, IXTH68P20T este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile tale electronice. Fabricat de către IXYS, acest tranzistor se remarcă prin montare THT și carcasă TO247-3, oferind o fiabilitate sporită în utilizare. Tehnologia TrenchP™ asigură o disipare eficientă a puterii de 568W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de putere medie și mare.

Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj de până la -68A și o tensiune drenaj-sursă de -200V. Tensiunea poartă-sursă de ±15V permite o comutare rapidă și precisă a dispozitivului. Rezistența în timpul funcționării de 55mΩ și subtipul canal îmbogățit îl fac ideal pentru aplicații de control și reglare a puterii.

Cu o încărcătură de poartă de 380nC, acest tranzistor P-MOSFET oferă performanțe superioare în aplicații cu cerințe ridicate de comutare. Timpul de restabilire rapid de 245ns îl face potrivit pentru aplicații sensibile la timp. Descoperă acum beneficiile tranzistorului IXYS P-MOSFET TrenchP™ pentru proiectele tale electronice!
Detalii
IXTH68P20T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
568W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-68A
Tensiune drenă-sursă
-200V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
55mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
380nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
245ns
Tehnologie
TrenchP™

Coduri specifice

cod UPC
594560162709
cod EAN13
5946043275867
Cod MPN
IXTH68P20T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor P-MOSFET Unipolar 60V 3,2A 25W IPAK TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compon

Cod: IRFU9014PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor P-MOSFET Unipolar 60V 3,2A 25W IPAK TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3,2A; 25W; IPAK,TO251
8,94 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET Unipolar 60V 3,2A 25W IPAK TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor P-MOSFET Unipolar 55V 12A 45W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: IRF9Z24NPBF

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor P-MOSFET Unipolar 55V 12A 45W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
5,24 lei
Mai multe Tranzistor P-MOSFET Unipolar 55V 12A 45W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc