Tranzistor IGBT BiMOSFET 1.7kV 10A 150W TO268HV

Tranzistorul IXBT16N170AHV este un dispozitiv semiconductor de înaltă performanță dezvoltat de către producătorul de renume IXYS. Acest tranzistor este montat în tehnologia SMD și este încapsulat în carcasă TO268HV, asigurând o montare ușoară și sigură.

Cu caracteristici elemente semiconductoare de tensiune înaltă, acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ poate disipa o putere de până la 150W. Cu un curent de colector de 10A și o tensiune colector-emițător de 1.7kV, acest dispozitiv este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă.

Timpul de activare scurt de 43ns și timpul de dezactivare de 370ns asigură o performanță excelentă în aplicații cu cerințe ridicate de comutare. De asemenea, tranzistorul IXBT16N170AHV are o încărcătură de poartă de 65nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la semnal.

Cu o tensiune de poartă-emițător de ±20V și un curent de colector pulsat de 40A, acest tranzistor oferă o funcționare fiabilă și consistentă în diverse aplicații. Ambalat într-un tub pentru protecție suplimentară, tranzistorul IXBT16N170AHV este soluția ideală pentru proiectele care necesită o performanță de înaltă calitate și fiabilitate.