• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor IGBT 1200V 50A TO247PLUS | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor IGBT 1200V 50A TO247PLUS | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor IGBT 1200V 50A TO247PLUS

DG50Q12T2
Tranzistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
82,99 lei
68,59 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IGBT 1200V 50A 672W TO247PLUS de la STARPOWER SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Cu o putere disipată de 672W, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini exigente fără probleme. Carcasa TO247PLUS oferă o montare simplă și sigură, asigurând o funcționare stabilă în diverse medii.

Caracteristicile elementelor semiconductoare integrate, precum dioda anti-paralel, garantează o performanță superioară și o durată lungă de viață a dispozitivului. Cu un curent de colector de 50A și o tensiune colector-emițător de 1,2kV, acest tranzistor IGBT este potrivit pentru aplicații care necesită o putere mare și o eficiență maximă. Timpul rapid de activare de 172ns și timpul de dezactivare de 338ns asigură o comutare rapidă și precisă a dispozitivului.

Încărcătura mică de poartă de 0,37µC reduce pierderile de comutare și maximizează eficiența sistemului. Cu o tensiune poartă-emițător de ±20V, acest tranzistor oferă un control precis și fiabil al dispozitivului. În plus, curentul de colector pulsat de 150A face posibilă gestionarea sarcinilor mari fără probleme. În concluzie, tranzistorul IGBT 1200V 50A 672W TO247PLUS de la STARPOWER SEMICONDUCTOR este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată.
Detalii
DG50Q12T2

Fisa tehnica

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
672W
Montare
THT
Carcasă
TO247PLUS
Caracteristici elemente semiconductoare
integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat
150A
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector
50A
Timp activare
172ns
Tensiune colector-emiţător
1,2kV
Încărcătură poartă
0,37µC
Tip tranzistor
IGBT
Timp dezactivare
338ns

Coduri specifice

cod EAN13
5946039187938
Cod MPN
DG50Q12T2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: