Tranzistor IGBT SiC 650V 50A TO247-3

Tranzistorul BGH50N65HS1 de la BASiC SEMICONDUCTOR este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele cele mai exigente ale aplicațiilor industriale. Acest tranzistor IGBT SiC SBD de 650V și 50A este capabil să gestioneze o putere disipată de până la 357W, asigurând o funcționare eficientă și fiabilă.

Montarea tranzistorului se realizează prin tehnologia THT, iar carcasa TO247-3 oferă protecție și durabilitate sporită. Elementele semiconductoare integrate, precum dioda anti-paralelă, contribuie la performanța superioară a acestui dispozitiv.

Cu un curent de colector pulsat de 200A și o tensiune poartă - emitor de ±20V, tranzistorul BGH50N65HS1 se remarcă prin caracteristici excepționale. Timpul de activare de 54ns și timpul de dezactivare de 256ns asigură o comutare rapidă și precisă a semnalului.

Cu o tensiune colector-emițător de 650V și o încărcătură de poartă de 308nC, acest tranzistor IGBT este soluția ideală pentru aplicațiile care necesită performanțe superioare și fiabilitate maximă. Fiind ambalat într-un tub convenabil, tranzistorul BGH50N65HS1 este ușor de integrat în diverse sisteme electronice.