Tranzistor IGBT IXYS 1,7kV 16A 250W TO247-3 BiMOSFET

Tranzistorul IGBT IXYS 1,7kV 16A 250W TO247-3 BiMOSFET reprezintă o soluție performantă, fabricată de IXYS, proiectată pentru aplicații ce necesită disipare termică eficientă și fiabilitate ridicată. Carcasa TO247-3, montată prin tehnologia THT, asigură o gestionare optimă a căldurii cu o putere disipată de 250W. Cu o tensiune colector-emitor de 1,7kV și curent de colector nominal de 16A, dispozitivul suportă pulsuri de curent de până la 120A, garantând robustețe în condiții de operare solicitante. Tehnologia BiMOSFET™ combină avantajele elementelor semiconductoare de înaltă tensiune și tehnologia FRED, optimizând performanțele tranzistorului. Caracteristicile dinamice includ un timp de activare de 220ns și un timp de dezactivare de 940ns, cu o încărcătură a porții de 72nC și o tensiune poartă-emitor de ±20V, oferind răspuns rapid și control precis. Acest tranzistor IGBT în format tub asigură performanțe ridicate și stabilitate în regimuri de lucru exigente.