Tranzistor IGBT 1,8kV 40A 375W TO3PN

Tranzistorul IGBT 1,8kV 40A 375W TO3PN, GT40WR21,Q(O de la TOSHIBA este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Montat în tehnologia Through-Hole (THT), acest tranzistor este ușor de instalat și potrivit pentru diverse tipuri de circuite.

Carcasa TO3PN oferă o protecție eficientă împotriva factorilor externi și asigură o disipare optimă a căldurii, menținând astfel temperatura de funcționare a tranzistorului la un nivel sigur. Subtipul ambalajului, tubul, permite o manipulare simplă și sigură a componentei.

Tranzistorul IGBT este echipat cu un diod anti-paralel integrat, care optimizează performanța circuitului și protejează tranzistorul împotriva supratensiunilor. Cu o putere disipată de 375W, acesta poate gestiona un curent de colector de până la 40A și o tensiune poartă-emitor de ±25V.

Timpul de activare rapid de 950ns și timpul de dezactivare de 570ns fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații cu cerințe stricte de timp. Cu o tensiune colector-emițător de 1.8kV, acest tranzistor IGBT de la TOSHIBA este soluția perfectă pentru proiectele care necesită fiabilitate și performanță superioară.