
Cod: DG75H12T2
Marca: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Politica de securitate
Politica de livrare
Politica de returnare
Termeni si conditii
Informatii GDPR
Tranzistor IGBT ONSEMI 650V 160A FGY160T65SPD-F085 TO247-3 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor IGBT dispune de o carcasă robustă TO247-3 și este montat prin tehnologia THT, asigurând o disipare a puterii de până la 441W.
Acest tranzistor este potrivit pentru aplicații industriale și electronice care necesită control precis al puterii, fiind o alegere excelentă pentru invertoare, surse de alimentare și echipamente de comutare de înaltă tensiune și curent.
Fisa tehnica
Coduri specifice
Cod: DG75H12T2
Marca: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Cod: STGWA75H65DFB2
Marca: STMicroelectronics
Cod: IHW50N65R5XKSA1
Marca: INFINEON TECHNOLOGIES
Cod: IXLF19N250A
Marca: IXYS
Cod: DG120X07T2
Marca: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Cod: STGP14NC60KD
Marca: STMicroelectronics
Cod: STGWA15H120DF2
Marca: STMicroelectronics
Cod: AOKS40B65H2AL
Marca: ALPHA INDUSTRIES
Cod: IXYH8N250CHV
Marca: IXYS
Cod: STGW80H65DFB
Marca: STMicroelectronics
Cod: DG50X12T2
Marca: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Cod: AOK50B60D1
Marca: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Cod: STGF14NC60KD
Marca: STMicroelectronics
Cod: AOT5B60D
Marca: ALPHA INDUSTRIES
Cod: IXYH60N90C3
Marca: IXYS
Cod: IKW25N120T2
Marca: INFINEON TECHNOLOGIES