• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

IGBT Tranzistor 3kV 55A 625W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Tranzistor 3kV 55A 625W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Tranzistor 3kV 55A 625W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT Tranzistor 3kV 55A 625W TO264

IXBK55N300
IXYS
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
671,48 lei
554,94 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 3kV 55A 625W TO264, IXBK55N300 este un produs de înaltă performanță destinat aplicațiilor electronice exigente. Fabricat de către producătorul de renume IXYS, acest tranzistor se remarcă prin montare THT și carcasă TO264, oferind o soluție fiabilă și durabilă pentru diverse aplicații. Tehnologia BiMOSFET™ integrată în acest tranzistor garantează o funcționare eficientă și performanțe deosebite.

Caracteristicile elementelor semiconductoare de tensiune înaltă fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de putere și fiabilitate. Cu o putere disipată de 625W și un curent de colector de 55A, acest tranzistor poate gestiona sarcini intense cu ușurință. Tensiunea poartă - emitor de ±20V și tensiunea colector-emițător de 3kV asigură o protecție optimă împotriva supratensiunilor și scurtcircuitelor.

Timpul de activare de 637ns și timpul de dezactivare de 475ns contribuie la o comutare rapidă și precisă a tranzistorului, facilitând integrarea acestuia în aplicațiile cu cerințe stricte de timp. Încărcătura poartă de 335nC și curentul de colector pulsat de 600A completează specificațiile impresionante ale acestui tranzistor IGBT de înaltă performanță. Alegeți tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 3kV 55A 625W TO264 pentru aplicațiile dumneavoastră electronice care necesită fiabilitate și performanță superioară.
Detalii
IXBK55N300

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
625W
Montare
THT
Carcasă
TO264
Caracteristici elemente semiconductoare
de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat
600A
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector
55A
Timp activare
637ns
Tensiune colector-emiţător
3kV
Încărcătură poartă
335nC
Tip tranzistor
IGBT
Timp dezactivare
475ns
Tehnologie
BiMOSFET™

Coduri specifice

cod UPC
594109823924
cod EAN13
5944504438318
Cod MPN
IXBK55N300
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: