IGBT BiMOSFET 2.5kV 25A 300W

Tranzistorul IXBX25N250 este un dispozitiv puternic, proiectat de IXYS, ce combină tehnologia BiMOSFET™ cu caracteristicile de înaltă tensiune ale unui IGBT. Acest tranzistor are o putere disipată de 300W și poate suporta o tensiune de 2.5kV. Cu o montare THT și o carcasă PLUS247™, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Cu un curent de colector de 25A și un timp de activare de 694ns, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în aplicațiile sale. Tensiunea poartă - emitor de ±20V și o încărcătură de poartă de 103nC asigură o funcționare stabilă și fiabilă. În plus, timpul de dezactivare de 650ns face ca acest tranzistor să fie potrivit pentru aplicații cu cerințe stricte de control al semnalelor. IXBX25N250 este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită un tranzistor puternic și fiabil.