• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
Tranzistor IGBT 1.2kV 25A 313W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor IGBT 1.2kV 25A 313W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor IGBT 1.2kV 25A 313W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor IGBT 1.2kV 25A 313W TO247-3

SKW25N120
Tranzistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 313W; TO247-3; mono-tranzistor
0,00 lei
0,00 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IGBT 1,2kV 25A 313W TO247-3 mono-tranzistor, SKW25N120 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor dispune de o putere disipată de 313W și o carcasă TO247-3, asigurând o disipare eficientă a căldurii. Caracteristicile elementelor semiconductoare includ un diod anti-paralel integrat, oferind protecție suplimentară împotriva supratensiunilor.

Cu o structură semiconductorului de tip mono-tranzistor, acest dispozitiv oferă un curent de colector de 25A și un curent de colector pulsat de 84A, asigurând performanțe excelente în aplicații de putere. Tensiunea poartă - emitor este de ±20V, iar tensiunea colector-emițător este de 1,2kV, asigurând o funcționare stabilă și sigură în diverse condiții de utilizare.

Acest tranzistor IGBT este potrivit pentru montare THT și vine într-un subtip de ambalaj tub, ușor de integrat în diverse circuite electronice. Cu un timp de activare de 85ns și un timp de dezactivare de 760ns, acest tranzistor oferă performanțe rapide și precise, fiind o alegere excelentă pentru aplicații de control de putere. Alegeți tranzistorul IGBT SKW25N120 pentru fiabilitate și performanțe superioare în proiectele dvs. electronice.
Detalii
SKW25N120

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
313W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare
integrated anti-parallel diode
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de colector pulsat
84A
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector
25A
Timp activare
85ns
Tensiune colector-emiţător
1,2kV
1.2kV
Tip tranzistor
IGBT
Timp dezactivare
760ns

Coduri specifice

cod UPC
594628142308
cod EAN13
5949905101571
Cod MPN
SKW25N120
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: