IGBT Tranzistor 1,2kV 54A 625W T-Max

Tranzistorul MICROCHIP (MICROSEMI) IGBT PT 1,2kV 54A 625W T-Max este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale de top, fiind un element esențial în proiectele de electronică avansată.

Producător: MICROCHIP (MICROSEMI)
Subtip ambalaj: tub
Montare: THT
Carcasă: T-Max
Putere disipată: 625W
Caracteristici elemente semiconductoare: diodă anti-paralel integrată
Curent de colector pulsat: 170A
Tensiunea poartă - emitor: ±30V
Curent de colector: 54A
Timp activare: 47ns
Tensiune colector-emițător: 1,2kV
Încărcătură poartă: 185nC
Tip tranzistor: IGBT
Timp dezactivare: 230ns
Tehnologie: POWER MOS 7®
Tehnologie: PT

Cu o gamă largă de caracteristici tehnice de ultimă generație, acest tranzistor se distinge prin fiabilitatea și performanța sa superioară. Indiferent de aplicația în care este utilizat, Tranzistorul MICROCHIP (MICROSEMI) IGBT PT 1,2kV 54A 625W T-Max va livra rezultate remarcabile, fiind alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o sursă de putere de încredere și eficientă.