Lista de produse dupa marca GeneSiC SEMICONDUCTOR

GeneSiC Semiconductor a fost fondată în 2002 în SUA și s-a concentrat întotdeauna pe dezvoltarea, testarea și producția de componente inovatoare în noua tehnologie de carbură de siliciu (SiC, de la silicon carbide). Roadele acestor eforturi sunt în primul rând diodele și tranzistoarele SiC caracterizate prin pierderi reduse, eficiență ridicată și rezistență la temperaturi de funcționare ridicate. Aceste soluții sunt utilizate ori de câte ori condițiile sau cerințele depășesc capacitățile tehnologiei clasice de siliciu - în special în convertoare de energie regenerabilă, în controlere de mare putere utilizate în domeniul automatizării industriale și al producției de energie, precum și în aplicații militare și în multe alte domenii.

Catalogul TME cuprinde o serie de componente semiconductoare GenaSiC care utilizează carbură de siliciu. Printre acestea se numără diode Schottky (atât THT, cât și SMD) cu intensități de curent de până la 50A (400A în impulsuri), precum și module de diode (cu șuruburi) cu curenți de conducție maximi de până la 420A (800A în impulsuri). Din portofoliul furnizorului, oferim, de asemenea, transistoare unipolare, module MOSFET și componente aferente.