Memorie DRAM 16Mb 512kx16 143MHz TSOP50 II

Circuitul integrat de memorie DRAM de 16Mb 512kx16bitx2 cu o frecvență de sincronizare de 143MHz și un timp de acces de 7ns este soluția perfectă pentru aplicațiile care necesită performanță și fiabilitate. Fabricat de către ISSI, acest chip de memorie SDRAM este ambalat într-un tub pentru o montare ușoară pe placa de circuit. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între -40 și 85°C, acest circuit integrat poate fi utilizat într-o varietate de medii de lucru.

Alimentat la o tensiune de 3,3V DC, acest chip de memorie DRAM oferă o capacitate de stocare de 16Mb, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o cantitate mare de date. Organizarea memoriei de 512kx16bitx2 permite accesul rapid la informații, iar interfața paralelă facilitează integrarea în diferite sisteme.

Cu o carcasă TSOP50 II fiabilă și durabilă, acest circuit integrat de memorie DRAM oferă performanțe de top într-un pachet compact. Indiferent de aplicația dvs., acest chip de memorie este alegerea ideală pentru proiectele care necesită viteze mari de transfer și stabilitate pe termen lung.