Memorie DRAM 128Mb 166MHz TSOP54 II

Circuitul integrat de memorie DRAM ISSI 128MbDRAM 2Mx16bitx4 166MHz 6ns TSOP54 II este un produs de încredere pentru nevoile dumneavoastră de stocare. Producătorul acestui dispozitiv este ISSI, garantând calitatea și fiabilitatea. Subtipul de ambalaj disponibil este tub sau tavă, oferindu-vă opțiuni flexibile de instalare.

Cu o temperatură de lucru extinsă de la -40°C până la 85°C, acest circuit integrat poate fi utilizat într-o varietate de medii de lucru. Montarea este simplă și eficientă, fiind compatibilă cu montajul pe suprafață (SMD). Carcasa TSOP54 II asigură protecție și durabilitate.

Tensiunea de alimentare necesară este între 3 și 3,6V DC, fiind potrivită pentru o gamă largă de aplicații. Cu o capacitate de memorie de 128Mb DRAM, acest circuit integrat este ideal pentru stocarea datelor importante.

Tipul de circuit integrat este specific memoriei DRAM, iar subtipul de memorie este SDRAM, oferind performanțe superioare. Frecvența de sincronizare de 166MHz asigură viteze rapide de transfer. Organizarea memoriei este de 2Mx16bitx4, permitând gestionarea eficientă a datelor.

Interfața este de tip paralel, facilitând conectivitatea cu alte dispozitive. Timpul de acces rapid de 6ns optimizează performanța în aplicațiile sensibile la timp. Alegeți circuitul integrat de memorie DRAM ISSI pentru o soluție fiabilă și performantă în proiectele dumneavoastră electronice.