Memorie SRAM 512kb 64kx8bit 2,5-5,5V 20MHz DIP8

IC: memorie SRAM 512kbSRAM 64kx8bit 2,5÷5,5V 20MHz DIP8 de la MICROCHIP TECHNOLOGY este un circuit integrat de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între -40 și 85°C, acesta poate fi utilizat într-o varietate de medii de lucru. Cu o montare THT și o carcasă DIP8, acest circuit integrat este ușor de instalat și integrat în proiectele dvs.

Tensiunea de lucru de 2,5 până la 5,5V asigură o alimentare stabilă și fiabilă, în timp ce interfațele SPI și SDI permit o comunicare rapidă și eficientă cu alte dispozitive. Memoria de 512kB SRAM oferă suficient spațiu pentru stocarea datelor, în timp ce tipul de circuit integrat, respectiv memoria SRAM, și subtipul de memorie, respectiv NV SRAM, asigură performanțe superioare.

Cu o frecvență de sincronizare de 20MHz și o organizare a memoriei de 64kx8bit, acest circuit integrat este ideal pentru aplicații care necesită o viteză mare de procesare a datelor. Tipul de interfață serială permite o integrare ușoară cu alte dispozitive, în timp ce caracteristicile circuite integrate, cum ar fi back-up baterie, asigură securitatea datelor stocate.

IC: memorie SRAM 512kbSRAM 64kx8bit 2,5÷5,5V 20MHz DIP8 de la MICROCHIP TECHNOLOGY este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. care necesită performanță și fiabilitate.