Memorie SRAM 4kb 512x8bit 2.7-3.6V SO8

Circuitul integrat de memorie SRAM 4kbSRAM 512x8bit 2,7÷3,6V 1MHz SO8 -40÷85°C de la MICROCHIP TECHNOLOGY este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră. Acesta este proiectat pentru a funcționa într-un interval larg de temperaturi, de la -40°C până la 85°C, ceea ce îl face potrivit pentru diverse medii de lucru. Cu o montare de tip SMD și o carcasă SO8, acest circuit integrat este ușor de integrat în diferite dispozitive electronice.

Tensiunea de lucru cuprinsă între 2,7 și 3,6V asigură eficiență energetică, în timp ce interfața I2C oferă o conexiune simplă cu alte dispozitive. Cu o memorie de 4kB SRAM și o frecvență de sincronizare de 1MHz, acest circuit integrat oferă performanțe remarcabile. Organizarea memoriei de 512x8bit și tipul de interfață serială îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații.

Caracteristica sa distinctivă este capacitatea de a asigura o copie de rezervă EEPROM, ceea ce îl face ideal pentru aplicații critice. Cu MICROCHIP TECHNOLOGY ca producător, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui circuit integrat. Alegeți acest produs pentru performanțe excelente și fiabilitate în orice aplicație electronică.