Memorie SRAM 4Mb 512k x 8bit 3,6V TSOP44 II

Circuitul integrat de memorie SRAM 4MbSRAM 512kx8bit 2,4÷3,6V 10ns TSOP44 II, fabricat de ISSI, este un produs de înaltă calitate ce se remarcă prin performanțe excelente și fiabilitate superioară. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între -40 și 85°C, acesta poate fi utilizat într-o varietate de medii și aplicații. Montarea sa simplă de tip SMD facilitează integrarea sa în diverse proiecte. Carcasa TSOP44 II asigură o protecție adecvată împotriva factorilor externi și o manipulare ușoară a dispozitivului. Tensiunea de lucru între 2,4 și 3,6V îl face compatibil cu o gamă largă de sisteme. Memoria sa de 4MB SRAM oferă o capacitate generoasă de stocare a datelor. Cu o organizare a memoriei de 512kx8bit, acest circuit integrat se încadrează perfect în aplicațiile ce necesită o memorie rapidă și fiabilă. Interfața sa de tip paralel facilitează transferul eficient al datelor. Timpul de acces de doar 10ns asigură o performanță remarcabilă, fiind ideal pentru aplicații sensibile la timp. Cu toate aceste caracteristici de top, circuitul integrat de memorie SRAM ISSI reprezintă alegerea perfectă pentru proiectele ce necesită o memorie de înaltă calitate și performanță deosebită.