• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Modul tranzistor 1,2kV 110A înşurubare DACMH160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul tranzistor 1,2kV 110A înşurubare DACMH160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul tranzistor 1,2kV 110A înşurubare DACMH160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul tranzistor 1,2kV 110A înşurubare DACMH160N1200

DACMH160N1200-DCO
Modul; tranzistor/tranzistor; 1,2kV; 110A; HB9434; înşurubare
1.230,76 lei
1.017,16 lei Fara TVA
Cantitate
Ultimele produse in stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modulul tranzistor DACMH160N1200 este un dispozitiv de înaltă performanță fabricat de DACO Semiconductor, cu o carcasă durabilă HB9434 și o temperatură de lucru extinsă de la -55°C până la 150°C. Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET de tip SiC, care oferă o eficiență sporită și o durabilitate excelentă. Topologia semipunte MOSFET permite o funcționare fiabilă în diverse aplicații.

Montarea mecanică și electrică prin înșurubare facilitează instalarea și întreținerea acestui modul tranzistor. Cu o putere disipată de 580W și un curent de drenaj în impuls de 400A, acest dispozitiv poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și predictibilă.

Cu un curent de drenaj nominal de 110A și o tensiune drenaj-sursă de 1.2kV, acest modul tranzistor este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Tensiunea poartă-sursă variabilă între -5V și 20V oferă flexibilitate în controlul dispozitivului.

Rezistența redusă în timpul funcționării de doar 20mΩ asigură o pierdere minimă de putere și o eficiență maximă. Cu caracteristici tehnice superioare și o construcție robustă, modulul tranzistor DACMH160N1200 este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de putere și control.
Detalii
DACMH160N1200-DCO

Fisa tehnica

Producător
DACO Semiconductor
Temperatura de lucru
-55...150°C
Putere disipată
580W
Tip modul
cu tranzistor MOSFET
Topologie
semipunte MOSFET
Carcasă
HB9434
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Structura semiconductorului
tranzistor/tranzistor
Curent de drenă în impuls
400A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
110A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă
-5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
20mΩ
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594850724853
cod EAN13
5941912559628
Cod MPN
DACMH160N1200
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: