Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Modul Tranzistor 1.2kV 23A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 1.2kV 23A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 1.2kV 23A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 1.2kV 23A SOT227B

IXFN26N120P
IXYS
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 23A; SOT227B; înşurubare; Idm: 60A
322,16 lei
266,25 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modulul mono-tranzistor 1,2kV 23A SOT227B înşurubare Idm: 60A, IXFN26N120P de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET puternic, având o putere disipată de 695W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini grele.

Cu o tensiune drenă-sursă de 1.2kV și un curent de drenă în impuls de 60A, acest modul poate gestiona cu ușurință cerințele de curent și tensiune ale aplicațiilor dumneavoastră. Structura semiconductorului este proiectată pentru a oferi o performanță optimă și o durată lungă de viață.

Montarea mecanică și electrică în șurubare facilitează instalarea și întreținerea acestui modul, în timp ce rezistența redusă în timpul funcționării de 0.5Ω asigură o eficiență maximă. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit contribuie la o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de lucru.

Cu o încărcătură de poartă de 255nC și un timp de restabilire de 300ns, acest modul oferă performanțe excelente și reacții rapide în aplicațiile dumneavoastră. Cu tehnologia Polar™ de la IXYS, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui modul mono-tranzistor de înaltă performanță.
Detalii
IXFN26N120P

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Putere disipată
695W
Tip modul
cu tranzistor MOSFET
Carcasă
SOT227B
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls
60A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
23A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă
±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,5Ω
0.5Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
255nC
Timp de restabilire
300ns
Tehnologie
HiPerFET™
Polar™

Coduri specifice

cod UPC
594402436937
cod EAN13
5943393160096
Cod MPN
IXFN26N120P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: