• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Modul; mono-tranzistor; 100V; 360A; SOT227B; înşurubare; Idm: 900A
  • Modul; mono-tranzistor; 100V; 360A; SOT227B; înşurubare; Idm: 900A

Modul mono-tranzistor IXYS 100V 360A SOT227B Idm: 900A

IXFN360N10T
IXYS
Modul; mono-tranzistor; 100V; 360A; SOT227B; înşurubare; Idm: 900A
205,48 lei
169,82 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modul mono-tranzistor IXYS 100V 360A SOT227B Idm: 900A este soluția ideală pentru aplicații de putere înaltă, având un design avansat care maximizează performanța și eficiența. Fabricat de IXYS, acest modul cu carcasă SOT227B dispune de o putere disipată de 830W, ceea ce îl face potrivit pentru utilizări intensive. Montarea electrică și mecanică se realizează ușor prin înşurubare, facilitând integrarea rapidă în diverse sisteme.

Tipul modulului, bazat pe tranzistor MOSFET, asigură o gestionare eficientă a energiei, iar structura semiconductorului de tip mono-tranzistor permite operarea la curent de drenă de 360A și curent de drenă în impuls de până la 900A. Tensiunea drenă-sursă de 100V, împreună cu tensiunea poartă-sursă de ±30V, garantează stabilitate și fiabilitate în funcționare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 2,6mΩ și un timp de restabilire rapid de 130ns, acest modul se dovedește a fi extrem de performant. Tehnologiile HiPerFET™ și GigaMOS™ contribuie la eficiența energetică și la reducerea pierderilor, făcând din acest produs o alegere excelentă pentru inginerii care caută soluții fiabile și eficiente. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 525nC completează specificațiile tehnice de vârf, oferind un modul de înaltă calitate, perfect pentru aplicații industriale și comerciale.
Detalii
IXFN360N10T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Putere disipată
830W
Tip modul
cu tranzistor MOSFET
Carcasă
SOT227B
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls
900A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
360A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2,6mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
525nC
Timp de restabilire
130ns
Tehnologie
GigaMOS™
HiPerFET™

Coduri specifice

cod EAN13
5948479570905
Cod MPN
IXFN360N10T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: