• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Modul Mono-Tranzistor 650V 108A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 650V 108A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Mono-Tranzistor 650V 108A SOT227B

IXFN120N65X2
IXYS
Modul; mono-tranzistor; 650V; 108A; SOT227B; înşurubare; Idm: 240A
321,30 lei
265,54 lei Fara TVA
Cantitate
Ultimele produse in stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modulul mono-tranzistor 650V 108A SOT227B înşurubare Idm: 240A, IXFN120N65X2 de la IXYS este o soluție inovatoare pentru aplicațiile care necesită o putere mare și eficiență ridicată. Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET de înaltă performanță, având o structură semiconductorului de tip mono-tranzistor. Cu o putere disipată impresionantă de 890W, acest modul poate gestiona un curent de drenă în impuls de până la 240A.

Datorită polarizării unipolare și subtipului canal îmbogățit, acest modul oferă performanțe remarcabile în aplicațiile cu cerințe ridicate. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 24mΩ, acest modul asigură o eficiență excelentă în utilizare. Tensiunea drenă-sursă de 650V și tensiunea poartă-sursă de ±40V fac din acest modul o alegere ideală pentru aplicațiile cu cerințe de tensiune ridicate.

Montarea mecanică și electrică înșurubare facilitează instalarea acestui modul în diverse aplicații, iar timpul de restabilire rapid de 220ns asigură un răspuns rapid în funcționare. Cu o încărcătură poartă de 240nC, acest modul oferă performanțe excelente în aplicațiile cu cerințe critice. Cu caracteristici tehnologice de clasă X2 și fiind produs de către IXYS, acest modul este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o soluție de înaltă calitate și fiabilă.
Detalii
IXFN120N65X2

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Putere disipată
890W
Tip modul
cu tranzistor MOSFET
Carcasă
SOT227B
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls
240A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
108A
Tensiune drenă-sursă
650V
Tensiune poartă-sursă
±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării
24mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
240nC
Timp de restabilire
220ns
Tehnologie
X2-Class

Coduri specifice

cod UPC
594059482417
cod EAN13
5940694489314
Cod MPN
IXFN120N65X2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: