• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Modul mono-tranzistor înşurubare 800V 39A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul mono-tranzistor înşurubare 800V 39A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul mono-tranzistor înşurubare 800V 39A SOT227B

IXFN44N80P
IXYS
Modul; mono-tranzistor; 800V; 39A; SOT227B; înşurubare; Idm: 100A
296,86 lei
245,34 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Descoperiți Modulul mono-tranzistor înşurubare 800V 39A SOT227B de la IXYS, o soluție inovatoare pentru aplicații de putere înaltă, care îmbină performanța de excelență cu fiabilitatea remarcabilă. Acest modul cu tranzistor MOSFET este proiectat să reziste la condiții extreme, având o tensiune drenă-sursă de 800V și un curent drenă de 39A, perfect pentru cerințele celor mai solicitante medii de lucru.

Cu o putere disipată de până la 694W, acest dispozitiv asigură eficiență maximă și performanțe optime în aplicații industriale și comerciale. Montarea electrică și mecanică prin înşurubare facilitează integrarea rapidă în diverse sisteme, iar structura semiconductorului mono-tranzistor garantează o operare precisă și stabilă.

Datorită tehnologiilor avansate HiPerFET™ și Polar™, modulul oferă o rezistență în timpul funcționării de doar 0,19Ω, contribuind astfel la reducerea pierderilor de energie. Cu un curent de drenă în impuls de 100A și un timp de restabilire de 250ns, acest modul este ideal pentru aplicații care necesită rapiditate și eficiență. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit completează specificațiile acestui produs de vârf.

Alegeți Modulul mono-tranzistor înşurubare 800V 39A SOT227B de la IXYS pentru soluții de putere de încredere, eficiente și durabile!
Detalii
IXFN44N80P

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Putere disipată
694W
Tip modul
cu tranzistor MOSFET
Carcasă
SOT227B
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls
100A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
39A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,19Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
200nC
Timp de restabilire
250ns
Tehnologie
HiPerFET™
Polar™

Coduri specifice

cod UPC
594674515309
cod EAN13
5942025103029
Cod MPN
IXFN44N80P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: