• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
Modul Mono-Tranzistor 600V 66A SOT227B IXFN80N60P3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 600V 66A SOT227B IXFN80N60P3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 600V 66A SOT227B IXFN80N60P3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Mono-Tranzistor 600V 66A SOT227B IXFN80N60P3

IXFN80N60P3
IXYS
Modul; mono-tranzistor; 600V; 66A; SOT227B; înşurubare; Idm: 200A
246,53 lei
203,74 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modul mono-tranzistor 600V 66A SOT227B înşurubare Idm: 200A, IXFN80N60P3 de la IXYS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice. Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET puternic, ce oferă o putere disipată impresionantă de 960W. Cu o structură semiconductorului de tip mono-tranzistor și o polarizare unipolară, acest dispozitiv asigură performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.

Montarea mecanică și electrică înșurubare facilitează instalarea și întreținerea acestui modul în diverse aplicații. Cu o tensiune de drenă-sursă de 600V și un curent de drenă de 66A, acest dispozitiv poate gestiona sarcini de lucru exigente. Rezistența în timpul funcționării de 77mΩ asigură o eficiență optimă a circuitului.

Subtipul canal îmbogățit și timpul de restabilire rapid de 250ns fac din acest modul o alegere ideală pentru aplicații care necesită comutare rapidă și performanțe fiabile. Cu o încărcătură de poartă de 0.19µC și o tensiune poartă-sursă de ±40V, acest modul mono-tranzistor este soluția perfectă pentru proiectele electronice complexe. Alegeți IXYS pentru calitate și performanță superioară în domeniul electronicelor.
Detalii
IXFN80N60P3

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Putere disipată
960W
Tip modul
cu tranzistor MOSFET
Carcasă
SOT227B
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls
200A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
66A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării
77mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
0,19µC
0.19µC
Timp de restabilire
250ns
Tehnologie
HiPerFET™
Polar3™

Coduri specifice

cod UPC
594816714478
cod EAN13
5945578343393
Cod MPN
IXFN80N60P3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: