• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Modul Mono-Tranzistor 1,2kV 110A SOT227B DACMI160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 1,2kV 110A SOT227B DACMI160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 1,2kV 110A SOT227B DACMI160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Mono-Tranzistor 1,2kV 110A SOT227B DACMI160N1200

DACMI160N1200-DCO
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 110A; SOT227B; înşurubare; Idm: 400A
539,50 lei
445,87 lei Fara TVA
Cantitate
Ultimele produse in stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modulul mono-tranzistor 1,2kV 110A SOT227B înşurubare Idm: 400A, DACMI160N1200 oferă performanțe remarcabile și fiabilitate deosebită, fiind produs de DACO Semiconductor. Carcasa SOT227B asigură o montare simplă și eficientă, iar tehnologia avansată SiC îi conferă o durată lungă de viață.

Cu o temperatură de lucru cuprinsă între -55 și 150°C, acest modul cu tranzistor MOSFET este ideal pentru aplicații în condiții extreme. Montarea mecanică și electrică în șurubare facilitează integrarea sa în diverse sisteme, iar structura semiconductorului mono-tranzistor garantează o funcționare optimă.

Modulul poate disipa o putere de până la 580W, având un curent de drenă în impuls de 400A. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 110A fac din acest produs o alegere excelentă pentru aplicații de putere. De asemenea, tensiunea drenă-sursă de 1.2kV și tensiunea poartă-sursă cuprinsă între -5 și 20V îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 20mΩ, acest modul mono-tranzistor DACMI160N1200 este soluția ideală pentru proiectele ce necesită o performanță superioară și o durabilitate deosebită.
Detalii
DACMI160N1200-DCO

Fisa tehnica

Producător
DACO Semiconductor
Temperatura de lucru
-55...150°C
Putere disipată
580W
Tip modul
cu tranzistor MOSFET
Carcasă
SOT227B
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls
400A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
110A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă
-5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
20mΩ
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594539007437
cod EAN13
5945458057006
Cod MPN
DACMI160N1200
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: