Modul IGBT Semipunte 1200V SMT IXA30PG1200DHGLB

Modulul IGBT diodă/tranzistor semipunte IGBT Urmax: 1,2kV SMT, IXA30PG1200DHGLB de la producătorul IXYS este o soluție inovatoare și eficientă pentru aplicațiile tale electronice. Carcasa SMPD-B oferă o protecție excelentă împotriva factorilor externi și asigură o durabilitate ridicată.

Acest modul IGBT utilizează tehnologia Sonic FRD™, ce garantează performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Topologia semipunte IGBT permite o comutare rapidă și eficientă a semnalului, optimizând astfel consumul de energie.

Cu o montare electrică SMT, acest modul este ușor de integrat în diverse proiecte electronice. Tensiunea inversă maximă de 1.2kV asigură o protecție eficientă împotriva supratensiunilor.

Structura semiconductorului combină dioda și tranzistorul pentru o funcționare optimă. Cu o putere disipată de 150W și un curent de colector pulsat de 75A, acest modul poate gestiona sarcini de putere semnificative.

Tensiunea poartă-emitor de ±20V și curentul de colector de 30A asigură o funcționare stabilă și eficientă a dispozitivului. Alege modulul IGBT IXA30PG1200DHGLB pentru performanțe remarcabile și fiabilitate de încredere în aplicațiile tale electronice.