Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET PolarHT™ 250V 82A 500W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET PolarHT™ 250V 82A 500W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET PolarHT™ 250V 82A 500W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET PolarHT™ 250V 82A 500W TO268

IXTT82N25P
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO268
59,79 lei
49,41 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET PolarHT™ unipolar 250V 82A 500W TO268 este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor dispune de o carcasă TO268, oferind o montare ușoară de tip SMD. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 250V, acesta poate opera la un curent de drenaj de până la 82A.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 38mΩ, acest tranzistor N-MOSFET asigură o eficiență ridicată a circuitului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 142nC, ceea ce permite o comutare rapidă și precisă a semnalului. Tensiunea poartă-sursă este de ±20V, iar timpul de restabilire este de doar 200ns, asigurând o performanță excelentă în aplicațiile cu cerințe stricte de timp.

Cu tehnologia PolarHT™, acest tranzistor IXYS oferă o combinație unică de putere și eficiență termică, fiind o alegere excelentă pentru aplicații de putere medie și mare. Cu caracteristici remarcabile și performanțe de top, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră de electronică de înaltă performanță.
Detalii
IXTT82N25P

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
500W
Montare
SMD
Carcasă
TO268
Polarizare
unipolar
Curent drenă
82A
Tensiune drenă-sursă
250V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
38mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
142nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
200ns
Tehnologie
PolarHT™

Coduri specifice

cod EAN13
5944481038723
Cod MPN
IXTT82N25P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET unipolar 30V 5A 1,1W SOT223 - Componente electronice de înaltă performanță | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: TSM05N03CW-RPG

Marca: TAIWAN SEMICONDUCTOR

Tranzistor N-MOSFET unipolar 30V 5A 1,1W SOT223 - Componente electronice de înaltă performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1,1W; SOT223
7,27 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET unipolar 30V 5A 1,1W SOT223 - Componente electronice de înaltă performanță
In stoc